CEU04N7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU04N7G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU04N7G MOSFET
CEU04N7G Datasheet (PDF)
ceu04n7g ced04n7g.pdf
CED04N7G/CEU04N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 3.5A, RDS(ON) = 3.3 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot
ceu04n65 ced04n65.pdf
CED04N65/CEU04N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 3.2A, RDS(ON) = 2.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ceu04n6 ced04n6.pdf
CED04N6/CEU04N6N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 3.4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
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History: IRFG9110 | SPW17N80C3 | OSG65R900FF
History: IRFG9110 | SPW17N80C3 | OSG65R900FF
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