CED25N15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED25N15L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de CED25N15L MOSFET
CED25N15L Datasheet (PDF)
ceu25n15l ced25n15l.pdf
CED25N15L/CEU25N15LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 25A, RDS(ON) = 70m @VGS = 10V. RDS(ON) = 80m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI
ced25n02 ceu25n02.pdf
CED25N02/CEU25N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 25A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PA
Otros transistores... CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , IRLB4132 , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , CED3252 , CED4060A , CED4060AL , CED40N10 .
History: S68N08ZRP | GSM4946W
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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