CED3060 Todos los transistores

 

CED3060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED3060
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

CED3060 Datasheet (PDF)

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 ceu3060 ced3060.pdf pdf_icon

CED3060

CED3060/CEU3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:417K  cet
 ced30p10 ceu30p10.pdf pdf_icon

CED3060

CED30P10/CEU30P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -30A, RDS(ON) = 76m @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SDF07N80 | VS3620DP-G | ZVN3310F | SHD226309 | NTMFS4925NT1G | 2SJ152

 

 
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