CED540L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED540L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 199 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de CED540L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CED540L datasheet

 ..1. Size:679K  cet
 ceu540l ced540l.pdf pdf_icon

CED540L

CED540L/CEU540L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:394K  cet
 ceu540n ced540n.pdf pdf_icon

CED540L

CED540N/CEU540N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

Otros transistores... CED3100, CED3120, CED3172, CED3252, CED4060A, CED4060AL, CED40N10, CED4204, IRF1407, CED540N, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336