CEU16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU16N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 2.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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CEU16N10 Datasheet (PDF)
1.1. ceu16n10l ced16n10l.pdf 
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CED16N10L/CEU16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) AB
1.2. ceu16n10 ced16n10.pdf Size:623K _cet
CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe
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