CEU16N10 Todos los transistores

 

CEU16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU16N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU16N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf pdf_icon

CEU16N10

CED16N10/CEU16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 0.1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf pdf_icon

CEU16N10

CED16N10L/CEU16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-P

Otros transistores... CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , AON6380 , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 .

History: IPW65R150CFD | IRFI624A | FQD2P40

 

 
Back to Top

 


 
.