CEU16N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU16N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU16N10 MOSFET
Principales características: CEU16N10
ceu16n10 ced16n10.pdf
CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
ceu16n10l ced16n10l.pdf
CED16N10L/CEU16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-P
Otros transistores... CED6060N , CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , IRFZ24N , CEU16N10L , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 .
Liste
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