CEU16N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU16N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU16N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU16N10 даташит

 ..1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf pdf_icon

CEU16N10

CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 0.1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf pdf_icon

CEU16N10

CED16N10L/CEU16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-P

Другие IGBT... CED6060N, CED6086, CED6186, CED630N, CED6336, CED6426, CED655, CED730G, IRFZ24N, CEU16N10L, CEU21A2, CEU25N15L, CEU3060, CEU3100, CEU3120, CEU3172, CEU3252