CEU16N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU16N10L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU16N10L MOSFET
CEU16N10L Datasheet (PDF)
ceu16n10l ced16n10l.pdf

CED16N10L/CEU16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-P
ceu16n10 ced16n10.pdf

CED16N10/CEU16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
Otros transistores... CED6086 , CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , IRF830 , CEU21A2 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A .
History: CEP15A03 | TW2203FL-Y | CEP16N10 | 2SK2827-01 | 2SK1573 | 2SK764 | 2SK3117
History: CEP15A03 | TW2203FL-Y | CEP16N10 | 2SK2827-01 | 2SK1573 | 2SK764 | 2SK3117



Liste
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