CEU3252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU3252

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU3252

CEU3252 Datasheet (PDF)

1.1. ceu3252 ced3252.pdf Size:421K _cet

CED3252/CEU3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 25A, RDS(ON) = 28m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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Liste

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