CEU3252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU3252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 13.8 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU3252
CEU3252 Datasheet (PDF)
ceu3252 ced3252.pdf
CED3252/CEU3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 25A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM
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