Справочник MOSFET. CEU3252

 

CEU3252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU3252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU3252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  cet
 ceu3252 ced3252.pdf pdf_icon

CEU3252

CED3252/CEU3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 25A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 39m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SFG130N15PF | TN2106K1-G | TSF50N06M | ME2306A-G | 2SK2071-01L | FQP32N12V2 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.