CEU4060AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEU4060AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU4060AL

CEU4060AL Datasheet (PDF)

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ceu4060al ced4060al.pdf

CED4060AL/CEU4060ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIM

..2. Size:397K cet
ced4060al ceu4060al.pdf

..3. Size:893K cn vbsemi
ceu4060al.pdf

CEU4060ALwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

6.1. Size:398K cet
ced4060a ceu4060a.pdf

CED4060A/CEU4060AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

6.2. Size:398K cet
ceu4060a ced4060a.pdf

9.1. Size:405K cet
ceu40n10 ced40n10.pdf

CED40N10/CEU40N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 37A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

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Liste

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