Справочник MOSFET. CEU4060AL

 

CEU4060AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU4060AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU4060AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  cet
 ceu4060al ced4060al.pdf pdf_icon

CEU4060AL

CED4060AL/CEU4060ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIM

 ..2. Size:397K  cet
 ced4060al ceu4060al.pdf pdf_icon

CEU4060AL

CED4060AL/CEU4060ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 16A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIM

 ..3. Size:893K  cn vbsemi
 ceu4060al.pdf pdf_icon

CEU4060AL

CEU4060ALwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 6.1. Size:398K  cet
 ced4060a ceu4060a.pdf pdf_icon

CEU4060AL

CED4060A/CEU4060AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE0208IA | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | FK330601 | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.