CEU4204 Todos los transistores

 

CEU4204 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU4204
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU4204 datasheet

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CEU4204

CED4204/CEU4204 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM... See More ⇒

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CEU4204

CED4201/CEU4201 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX... See More ⇒

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CEU4204

CED4279/CEU4279 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1/D2 40V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V. -40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V. G1 G2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 D1/D2 Lead free product is acqui... See More ⇒

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CEU4204

CEU4269 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1/D2 40V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V. -40V , -12A , RDS(ON) = 45m @VGS = 10V. RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. G1 G2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 D1/D2 Lead free product is acquired. S1... See More ⇒

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