Справочник MOSFET. CEU4204

 

CEU4204 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEU4204
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CEU4204

 

 

CEU4204 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  cet
 ceu4204 ced4204.pdf

CEU4204 CEU4204

CED4204/CEU4204N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:381K  cet
 ced4201 ceu4201.pdf

CEU4204 CEU4204

CED4201/CEU4201P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:680K  cet
 ceu4279 ced4279.pdf

CEU4204 CEU4204

CED4279/CEU4279Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acqui

 9.2. Size:584K  cet
 ceu4269.pdf

CEU4204 CEU4204

CEU4269Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -12A , RDS(ON) = 45m @VGS = 10V. RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acquired.S1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CEA3055L

 

 
Back to Top