CEUF634 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEUF634

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO252

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CEUF634 datasheet

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CEUF634

CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

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CEUF634

CEDF640/CEUF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

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