CED73A3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED73A3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED73A3G datasheet

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CED73A3G

CED73A3G/CEU73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABS

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CED73A3G

CED730G/CEU730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

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