CED73A3G Todos los transistores

 

CED73A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED73A3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED73A3G Datasheet (PDF)

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CED73A3G

CED73A3G/CEU73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS

 9.1. Size:408K  cet
 ceu730g ced730g.pdf pdf_icon

CED73A3G

CED730G/CEU730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un

Otros transistores... CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , IRFP460 , CED740A , CED75A3 , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 .

History: SUP90N03-03 | SE40160A | SSF8205A | APM2324AA | APT6040BVFR | IPS0151S | HMS11N70F

 

 
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