CED75A3 Todos los transistores

 

CED75A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED75A3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED75A3 Datasheet (PDF)

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 ceu75a3 ced75a3.pdf pdf_icon

CED75A3

CED75A3/CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 60A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

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 ced75a3 ceu75a3.pdf pdf_icon

CED75A3

CED75A3/CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 60A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G , CED740A , IRFP260N , CED830G , CED83A3 , CED83A3G , CED840A , CED84A4 , CED85A3 , CED93A3 , CEDF634 .

History: 18P10F | SGSP301 | IRFP4410ZPBF | CMUDM7005 | STF9NK80Z

 

 
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