CED75A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED75A3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 60 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED75A3
CED75A3 Datasheet (PDF)
1.1. ceu75a3 ced75a3.pdf 
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CED75A3/CEU75A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 60A, RDS(ON) = 9m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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