CED75A3 Todos los transistores

 

CED75A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED75A3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED75A3 Datasheet (PDF)

1.1. ceu75a3 ced75a3.pdf Size:367K _cet

CED75A3
CED75A3

CED75A3/CEU75A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 60A, RDS(ON) = 9m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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