CEH2310 Todos los transistores

 

CEH2310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEH2310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

 Búsqueda de reemplazo de CEH2310 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEH2310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1163K  cet
 ceh2310.pdf pdf_icon

CEH2310

CEH2310N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6.2A , RDS(ON) = 33m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V. D(1,2,5,6,)High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.45TSOP-6 package.6G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE

 8.1. Size:164K  cet
 ceh2316.pdf pdf_icon

CEH2310

CEH2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6A , RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

 8.2. Size:340K  cet
 ceh2313.pdf pdf_icon

CEH2310

CEH2313P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol

 9.1. Size:446K  cet
 ceh2321.pdf pdf_icon

CEH2310

CEH2321P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 62m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead-free plating ; RoHS compliant.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CEDF634 , CEDF640 , CEE02N6A , CEE02N6G , CEG2288 , CEG8205A , CEG8208 , CEH2288 , K3569 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 .

History: RFP22N10 | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | P5003QVT | 2N6917 | CHM2307GP

 

 
Back to Top

 


 
.