CEK01N7 Todos los transistores

 

CEK01N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEK01N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de CEK01N7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEK01N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  cet
 cek01n7.pdf pdf_icon

CEK01N7

CEK01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

 8.1. Size:369K  cet
 cek01n65a.pdf pdf_icon

CEK01N7

CEK01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.3A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

 8.2. Size:1219K  cet
 cek01n65.pdf pdf_icon

CEK01N7

CEK01N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParamet

 8.3. Size:398K  cet
 cek01n6g.pdf pdf_icon

CEK01N7

CEK01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , 2N7000 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A .

History: IPI65R099C6 | MPVA7N65F | FDU8880 | MTP4413Q8 | CMLDM8002AJ | CMLM0205 | IRFG5210

 

 
Back to Top

 


 
.