Справочник MOSFET. CEK01N7

 

CEK01N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEK01N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для CEK01N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEK01N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  cet
cek01n7.pdfpdf_icon

CEK01N7

CEK01N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

 8.1. Size:369K  cet
cek01n65a.pdfpdf_icon

CEK01N7

CEK01N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.3A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit

 8.2. Size:1219K  cet
cek01n65.pdfpdf_icon

CEK01N7

CEK01N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParamet

 8.3. Size:398K  cet
cek01n6g.pdfpdf_icon

CEK01N7

CEK01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package.GGDGSDSTO-92(Ammopack) TO-92(Bulk)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit U

Другие MOSFET... CEG8208 , CEH2288 , CEH2310 , CEH2316 , CEH2609 , CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , IRF4905 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , CEM0415 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A .

History: AP75T10GP | NCEP40P65QU | 2SK655 | PM516BZ | P5015BD | HGP130N12SL

 

 
Back to Top

 


 
.