CEM0415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM0415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM0415
CEM0415 Datasheet (PDF)
1.1. cem0415.pdf 
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CEM0415 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 4A, RDS(ON) = 85m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m? @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles
4.1. cem0410.pdf Size:737K _cet
CEM0410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Paramet
Otros transistores... CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , IRFP4332 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 .
