CEM0415 Todos los transistores

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CEM0415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM0415

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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CEM0415 Datasheet (PDF)

1.1. cem0415.pdf Size:402K _cet

CEM0415
CEM0415

CEM0415 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 4A, RDS(ON) = 85m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m? @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

4.1. cem0410.pdf Size:737K _cet

CEM0415
CEM0415

CEM0410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D D D D Surface mount Package. 8 7 6 5 SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Paramet

 

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