CEM0415 Todos los transistores

 

CEM0415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM0415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de CEM0415 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEM0415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  cet
 cem0415.pdf pdf_icon

CEM0415

CEM0415PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.1. Size:737K  cet
 cem0410.pdf pdf_icon

CEM0415

CEM0410Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedPa

Otros transistores... CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , 2SK3568 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 .

History: BRCS070N03DP | IPA041N04NG | PMPB48EP | 2SK1524 | CJQ9435 | 2N7002TC

 

 
Back to Top

 


 
.