Справочник MOSFET. CEM0415

 

CEM0415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEM0415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для CEM0415

 

 

CEM0415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  cet
 cem0415.pdf

CEM0415 CEM0415

CEM0415PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES150V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 95m @VGS = 6V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.1. Size:737K  cet
 cem0410.pdf

CEM0415 CEM0415

CEM0410Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 3.4A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D D D DSurface mount Package.8 7 6 5SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedPa

Другие MOSFET... CEK01N65 , CEK01N65A , CEK01N6G , CEK01N7 , CEK7002A , CEM0215 , CEM0310 , CEM0410 , K4145 , CEM1010 , CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 .

 

 
Back to Top