CEM2539A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM2539A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5(4) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5(9.2) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(235) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.08) Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM2539A datasheet

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CEM2539A

CEM2539A Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1 D2 5 20V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V. G1 G2 RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. -20V, -4A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(

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CEM2539A

CEM2539 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1 D2 5 20V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. *1K G1 G2 RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V. -20V, -4.0A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely lo

Otros transistores... CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, K4145, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65