CEM2539A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM2539A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5(4) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5(9.2) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230(235) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.08) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM2539A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2539A даташит

 ..1. Size:615K  cet
 cem2539a.pdf pdf_icon

CEM2539A

CEM2539A Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1 D2 5 20V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V. G1 G2 RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V. -20V, -4A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(

 7.1. Size:504K  cet
 cem2539.pdf pdf_icon

CEM2539A

CEM2539 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1 D2 5 20V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. *1K G1 G2 RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V. -20V, -4.0A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V. S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely lo

Другие IGBT... CEK01N7, CEK7002A, CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, K4145, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65