Справочник MOSFET. CEM2539A

 

CEM2539A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM2539A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5(4) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5(9.2) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230(235) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.08) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2539A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  cet
 cem2539a.pdf pdf_icon

CEM2539A

CEM2539ADual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V.G1 G2 RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.-20V, -4A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(

 7.1. Size:504K  cet
 cem2539.pdf pdf_icon

CEM2539A

CEM2539Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V.*1KG1 G2 RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.-20V, -4.0A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely lo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK127-50DL | 12N70KL-TA3-T | 4N65G-TF2-T | DF11MR12W1M1PB11 | AONG36322 | AP2310GK-HF | R6004JND3

 

 
Back to Top

 


 
.