CEM73A3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM73A3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM73A3G datasheet

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CEM73A3G

CEM73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 12.5A, RDS(ON) = 11m @VGS = 10V. RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

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CEM73A3G

CEM7350L Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 100V, 2.6A, RDS(ON) = 190m @VGS = 5V. RDS(ON) = 180m @VGS = 10V. -100V, -2.0A, RDS(ON) = 320m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. SO-8 1

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CEM73A3G

CEM7350 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 100V, 2.6A, RDS(ON) = 190m @VGS = 10V. -100V, -2.0A, RDS(ON) = 320m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAX

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