CEM73A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEM73A3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM73A3G

CEM73A3G Datasheet (PDF)

..1. Size:387K cet
cem73a3g.pdf

CEM73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES530V, 12.5A, RDS(ON) = 11m @VGS = 10V. RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

9.1. Size:615K cet
cem7350l.pdf

CEM7350LDual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES 100V, 2.6A, RDS(ON) = 190m @VGS = 5V. RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.-100V, -2.0A, RDS(ON) = 320m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D2High power and current handing capability.8 7 6 5Lead-free plating ; RoHS compliant.Surface mount Package.SO-81

9.2. Size:541K cet
cem7350.pdf

CEM7350Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES 100V, 2.6A, RDS(ON) = 190m @VGS = 10V.-100V, -2.0A, RDS(ON) = 320m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAX

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Liste

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