CEZ3R03 Todos los transistores

 

CEZ3R03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEZ3R03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PACK5*6
 

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Principales características: CEZ3R03

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CEZ3R03

CEZ3R04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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