CEZ3R03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEZ3R03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: PACK5*6

Аналог (замена) для CEZ3R03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEZ3R03 даташит

 8.1. Size:408K  cet
 cez3r04.pdf pdf_icon

CEZ3R03

CEZ3R04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 65A, RDS(ON) = 5.8m @VGS = 10V. D D D D RDS(ON) = 8.5m @VGS = 4.5V. 8 7 6 5 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package. 1 2 3 4 S S S G PR-PACK (5*6) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

Другие IGBT... CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205, CEM2539, CEM73A3G, 4N60, CEM7808, CEP10N65, CEP12N65, CES2336, CEM3128, CEM3138, CEM3172, CEM3178