CEM6188 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEM6188
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM6188

CEM6188 Datasheet (PDF)

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cem6188.pdf

CEM6188PRELIMINARYDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 7.3A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 35m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 4S1 G1 S2 G21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

8.1. Size:402K cet
cem6186.pdf

CEM6186PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 8A, RDS(ON) = 26m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

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