2N6849L Todos los transistores

 

2N6849L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6849L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO39

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6849L datasheet

 8.1. Size:133K  international rectifier
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2N6849L

PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an

 8.2. Size:120K  semelab
 2n6849hp.pdf pdf_icon

2N6849L

P-CHANNEL POWER MOSFET 2N6849HP MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-205AD Package Single Pulse Avalanche Energy Rated Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VDG RGS = 20K Drain Gat

 8.3. Size:147K  microsemi
 2n6849u.pdf pdf_icon

2N6849L

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 DEVICES LEVELS JAN 2N6849 2N6849U JANTX JANTXV JANS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source

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