CEN7002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEN7002A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23T

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEN7002A

CEN7002A Datasheet (PDF)

..1. Size:131K cet
cen7002a.pdf

CEN7002AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 0.25A, RDS(ON) = 3 @VGS = 10V. RDS(ON) = 4 @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23-T package.CEN7002AGSOT-23-TDSGDie upside up SOT-23-TSpackage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted

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Liste

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