CEN7002A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEN7002A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT23T

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CEN7002A datasheet

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CEN7002A

CEN7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 0.25A, RDS(ON) = 3 @VGS = 10V. RDS(ON) = 4 @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-23-T package. CEN7002A G SOT-23-T D S G Die upside up SOT-23-T S package. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted

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