CES2310 Todos los transistores

 

CES2310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CES2310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

CES2310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  cet
 ces2310.pdf pdf_icon

CES2310

CES2310N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V.DHigh dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C u

 8.1. Size:390K  cet
 ces2317.pdf pdf_icon

CES2310

CES2317P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.1A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 120m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).DRugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedPar

 8.2. Size:141K  cet
 ces2316.pdf pdf_icon

CES2310

CES2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vol

 8.3. Size:275K  cet
 ces2312.pdf pdf_icon

CES2310

CES2312N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 4.5A, RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vo

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDC3612 | AO8803

 

 
Back to Top

 


 
.