CES2320 Todos los transistores

 

CES2320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CES2320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CES2320 datasheet

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CES2320

CES2320 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 5.2A, RDS(ON) = 29m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Lead free product is acquired. D Rugged and reliable. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Vol

 8.1. Size:919K  cet
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CES2320

CES2322 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 6.2A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Lead-free plating ; RoHS compliant. D Rugged and reliable. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

 8.2. Size:387K  cet
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CES2320

CES2323 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.2A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

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 ces2324.pdf pdf_icon

CES2320

CES2324 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 4.2A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Lead free product is acquired. D Rugged and reliable. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Vo

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