CET6426 Todos los transistores

 

CET6426 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET6426
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CET6426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  cet
 cet6426.pdf pdf_icon

CET6426

CET6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 5A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

Otros transistores... CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , IRFB4227 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 .

History: 2SK1792 | BUK7614-55A | AOWF780A70 | DAMI280N200 | HM20N06 | FQP19N10

 

 
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