CEU4269 Todos los transistores

 

CEU4269 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU4269
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14(12) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155(150) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU4269 Datasheet (PDF)

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CEU4269

CEU4269Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -12A , RDS(ON) = 45m @VGS = 10V. RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acquired.S1

 9.1. Size:680K  cet
 ceu4279 ced4279.pdf pdf_icon

CEU4269

CED4279/CEU4279Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acqui

 9.2. Size:405K  cet
 ceu4204 ced4204.pdf pdf_icon

CEU4269

CED4204/CEU4204N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

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 ced4201 ceu4201.pdf pdf_icon

CEU4269

CED4201/CEU4201P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

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History: RQJ0304DQDQS | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | HGB042N10S | IPB65R045C7 | CHM4435AZGP | 2SK1007

 

 
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