CEU4269
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEU4269
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 14(12)
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 20.5
nC
trⓘ -
Время нарастания: 10(5)
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155(150)
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032
Ohm
Тип корпуса:
TO252
Аналог (замена) для CEU4269
CEU4269
Datasheet (PDF)
..1. Size:584K cet
ceu4269.pdf 
CEU4269Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -12A , RDS(ON) = 45m @VGS = 10V. RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acquired.S1
9.1. Size:680K cet
ceu4279 ced4279.pdf 
CED4279/CEU4279Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1/D240V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V.G1 G2Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2D1/D2Lead free product is acqui
9.2. Size:405K cet
ceu4204 ced4204.pdf 
CED4204/CEU4204N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM
9.3. Size:381K cet
ced4201 ceu4201.pdf 
CED4201/CEU4201P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
