CEB15P15 Todos los transistores

 

CEB15P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB15P15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB15P15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cet
 cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf pdf_icon

CEB15P15

CEP15P15/CEB15P15CEF15P15PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEB15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP

 9.1. Size:395K  cet
 cep15a03 ceb15a03.pdf pdf_icon

CEB15P15

CEP15A03/CEB15A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

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History: IRFSL3006 | SHD220212 | FQB5N60CTM | DMPH6050SK3Q | EKI07117 | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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