CEB15P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB15P15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB15P15
CEB15P15 Datasheet (PDF)
cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf
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CEP15P15/CEB15P15CEF15P15PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEB15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP
cep15a03 ceb15a03.pdf
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CEP15A03/CEB15A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other
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