CEB20P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB20P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
CEB20P06 Datasheet (PDF)
cep20p06 ceb20p06.pdf

CEP20P06/CEB20P06P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -14A, RDS(ON) =125m @VGS = -10V.RDS(ON) =175m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
cep20p10 ceb20p10.pdf

CEP20P10/CEB20P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-100V, -20A, RDS(ON) =130m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles
cep20a03 ceb20a03.pdf

CEP20A03/CEB20A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 197A, RDS(ON) = 2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE
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History: IXTH76P10T | TSA24N50M | WFW40N25W | BSC117N08NS5 | FDS6892A | SH8K14 | NTLJS4159NT1G
History: IXTH76P10T | TSA24N50M | WFW40N25W | BSC117N08NS5 | FDS6892A | SH8K14 | NTLJS4159NT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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