CEB20P10 Todos los transistores

 

CEB20P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB20P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 115 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB20P10 Datasheet (PDF)

1.1. cep20p10 ceb20p10.pdf Size:419K _cet

CEB20P10
CEB20P10

CEP20P10/CEB20P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -100V, -20A, RDS(ON) =130m? @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

4.1. cep20p06 ceb20p06.pdf Size:436K _cet

CEB20P10
CEB20P10

CEP20P06/CEB20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -14A, RDS(ON) =125m? @VGS = -10V. RDS(ON) =175m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 5.1. cep20a03 ceb20a03.pdf Size:417K _cet

CEB20P10
CEB20P10

CEP20A03/CEB20A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 197A, RDS(ON) = 2 m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMU

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