CEB50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEB50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB50P03

CEB50P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:128K cet
cep50p03 ceb50p03.pdf

CEP50P03/CEB50P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -47A, RDS(ON) =20m @VGS = -10V.RDS(ON) =32m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

..2. Size:811K cn vbsemi
ceb50p03.pdf

CEB50P03www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg TestedRoHS- 30 56 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 65APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchS D2PAK (TO-263)G DGSD P

9.1. Size:370K cet
cep50n06 ceb50n06.pdf

CEP50N06/CEB50N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 50A ,RDS(ON) = 17m (typ) @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

9.2. Size:446K cet
cep50n10 ceb50n10.pdf

CEP50N10/CEB50N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 50A, RDS(ON) = 30m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

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Liste

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