CED05P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED05P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED05P03 Datasheet (PDF)

1.1. ced05p03 ceu05p03.pdf Size:365K _cet

CED05P03/CEU05P03 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -15A, RDS(ON) = 70m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

5.1. ceu05n65 ced05n65.pdf Size:415K _cet

CED05N65/CEU05N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

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Liste

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