CEF15P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEF15P15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 31 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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CEF15P15 Datasheet (PDF)

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cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf

CEP15P15/CEB15P15CEF15P15PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEB15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP

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