CEF15P15 Todos los transistores

 

CEF15P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF15P15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 34 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.24 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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CEF15P15 Datasheet (PDF)

1.1. cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf Size:349K _cet

CEF15P15
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CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24Ω -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24Ω -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24Ω -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP

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