CEF15P15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF15P15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CEF15P15 datasheet

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CEF15P15

CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP

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