CEF15P15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF15P15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 175 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO220F
CEF15P15 Datasheet (PDF)
1.1. cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf 
Size:349K _cet
CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24? -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C
Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |