CEF15P15 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEF15P15  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEF15P15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF15P15 даташит

 ..1. Size:349K  cet
 cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf pdf_icon

CEF15P15

CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP

Другие IGBT... CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04, CEF14P20, CS150N03A8, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CEH3456, CEM2163