CEM2401 Todos los transistores

 

CEM2401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM2401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.044 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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CEM2401 Datasheet (PDF)

1.1. cem2401.pdf Size:424K _cet

CEM2401
CEM2401

CEM2401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -6A, RDS(ON) = 44mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

4.1. cem2407.pdf Size:440K _cet

CEM2401
CEM2401

CEM2407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -5.3A, RDS(ON) = 45mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

 

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