CEM2407 Todos los transistores

 

CEM2407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM2407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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CEM2407 Datasheet (PDF)

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cem2407.pdf

CEM2407
CEM2407

CEM2407P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -5.3A, RDS(ON) = 45m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

 8.1. Size:424K  cet
cem2401.pdf

CEM2407
CEM2407

CEM2401P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -6A, RDS(ON) = 44m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

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