CEM2407 Todos los transistores

 

CEM2407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM2407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM2407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  cet
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CEM2407

CEM2407P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -5.3A, RDS(ON) = 45m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

 8.1. Size:424K  cet
 cem2401.pdf pdf_icon

CEM2407

CEM2401P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -6A, RDS(ON) = 44m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 65m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

Otros transistores... CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , STP80NF70 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 .

 

 
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