CEM6861 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM6861

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM6861 datasheet

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CEM6861

CEM6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.5A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 169m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless ot

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CEM6861

CEM6867 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.1A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V. RDS(ON) = 170m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

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