CEM6867 Todos los transistores

 

CEM6867 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM6867
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM6867 Datasheet (PDF)

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CEM6867

CEM6867Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -3.1A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V. RDS(ON) = 170m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 4S1 G1 S2 G21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

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 cem6861.pdf pdf_icon

CEM6867

CEM6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -3.5A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 169m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless ot

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History: HFP6N90 | STB60NF06-1 | HMS150N06D

 

 
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