CEM6867. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM6867

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM6867

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM6867 даташит

 ..1. Size:413K  cet
 cem6867.pdf pdf_icon

CEM6867

CEM6867 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.1A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V. RDS(ON) = 170m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.1. Size:440K  cet
 cem6861.pdf pdf_icon

CEM6867

CEM6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.5A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 169m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless ot

Другие IGBT... CEM4435A, CEM4948, CEM4953, CEM4953A, CEM4953H, CEM6601, CEM6607, CEM6861, IRFZ48N, CEM8311, CEM8435A, CEM9407A, CEM9435, CEM9435A, CEM9953A, CEN2301, CEP05P03