CEM9407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM9407A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 4.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM9407A
CEM9407A Datasheet (PDF)
cem9407a.pdf
CEM9407APRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-60V, -3.7A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 165m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA
cem9435.pdf
CEM9435P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -5A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 95m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless o
cem9436a.pdf
CEM9436AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES530V, 6.2A, RDS(ON) = 38m @VGS = 10V. RDS(ON) = 52m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe
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Liste
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