CEM9435 Todos los transistores

 

CEM9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM9435 datasheet

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CEM9435

CEM9435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 95m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless o

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CEM9435

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CEM9435

CEM9436A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 30V, 6.2A, RDS(ON) = 38m @VGS = 10V. RDS(ON) = 52m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe

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CEM9435

CEM9407A PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 -60V, -3.7A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 165m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

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