CEN2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEN2301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23T
Búsqueda de reemplazo de CEN2301 MOSFET
CEN2301 Datasheet (PDF)
cen2301.pdf

CEN2301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -2.7A, RDS(ON) = 110m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 160m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23-T package.GDSGSSOT-23-TABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units
cen2307a.pdf

CEN2307AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -3.2A, RDS(ON) = 78m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23-TABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Lim
cen2321a.pdf

CEN2321APRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -3.7A, RDS(ON) = 60m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit
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Liste
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