CEP95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP95P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 93 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CEP95P04 MOSFET
CEP95P04 Datasheet (PDF)
cep95p04 ceb95p04.pdf

CEP95P04/CEB95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-40V, -93A, RDS(ON) =8.4m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIM
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History: STP601 | BSC072N04LD | SM3106NSU | AM6411P | IRF7484Q | FTK1016 | IXTY1N80
History: STP601 | BSC072N04LD | SM3106NSU | AM6411P | IRF7484Q | FTK1016 | IXTY1N80



Liste
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